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C35 GTO緩沖吸收電容器

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品牌: 華裕電容
型號: C35
規格: 0.47vF/5000V
單價: 50.00元/枚
起訂: 100 枚
供貨總量: 10000000 枚
發貨期限: 自買家付款之日起 3 天內發貨
所在地: 廣東 廣州市
有效期至: 長期有效
最后更新: 2014-11-29 14:46
瀏覽次數: 16
詢價
公司基本資料信息






 
 
產品詳細說明
 

型號

規格

價格(元)

尺寸(mm)

引出

C35

0.47vF/5000V

50

Φ53*L50

M6

價格僅供參考,以報價單為準。

主要應用/Application

廣泛應用于GTO緩沖吸收以及大電流,高壓場合。

Widely used in GTO snubber,high current and high voltage application.

產品特點/Characteristics

電介質:聚丙烯薄膜

結構:金屬化膜內串結構

封裝:外包阻燃邁拉膠帶,阻燃(94V-0級)環氧封裝

引出: M6或M8銅螺母引出

能承受大電流,高電壓

低損耗、高穩定

具有自愈性

Dielectric:Polypropylene film

Construction:Metalized  film internal series connection

Coating:Polyester tape wrapping with resin sealing.

Flame retardant execution(UL94V-0)

Terminals:Copper nut  leads,threaded insert M5,M6 or M8

High current,high voltage

Low losses,high stability

Self healing

技術性能/Specifications

引用標準/Reference standards

GB/T 17702  IEC 61071

工作溫度范圍/Operating temperature range

-40℃~85℃

容量范圍/Capacitance

0.33μF~3.0μF

額定電壓/Rated Voltage

4000Vdc~10 000Vdc

容量偏差/Tolerance

±5%  ±10%

極間耐電壓/Test voltage between terminals

1.5Ur(Vdc)10s  25℃±5℃

極殼耐電壓/Test voltage between terminals and case

3000V 50Hz 60s,25℃±5℃

損耗角正切/Dissipation factor

tgδ≤8×10-4   at 25℃±5℃,1kHz

絕緣電阻/Insulation resistance

C×R≥30000s,at 100Vdc,25℃±5℃,60s

預期壽命/Life expectancy

200000h at Ur and 70℃

此產品關鍵字:

IGBT吸收電容、IGBTSNUBBER、IGBT吸收電容廠家、IGBT吸收電容價格

    

華裕電容-高品質金屬化薄膜電容專業制造商

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