- 源(Source)或阱(Sink)的能力:
—2000W的脈沖功率(±40V,±50A)
—200W的DC功率(±10V@±20A,±20V@±10A,±40V@±5A) - 2臺并聯使用,可以產生±40A的直流或±100A的脈沖電流(最小脈寬100μs),2臺串聯使用,可以產生±80V的電壓;
- 測試功率MOSFET器件的導通阻抗RDSON的指標優于100μΩ;
- 可以輸出高的脈沖電流,以減少器件的自熱效應;
- 1pA的分辨率可以進行精密的非常低的漏電流測試;
- 1μs每點,18bit的采樣,可以對瞬態現象進行精確的特性分析;
- 1%-100%的脈沖占空比;
- 包括TSP Express特性測試軟件,Labview驅動;
- Keithley ACS測試軟件支持;